В конце февраля 2003 года в Сан-Хосе (Калифорния) состоялся традиционный Форум Intel для разработчиков (Intel Developer Forum, или IDF), который многие уже окрестили Industry Developer Forum, поскольку ведущие IT-специалисты всего мира собираются на него, чтобы представить свои достижения, обменяться мнениями и выработать концепции развития компьютерной индустрии.

Вот и на этот раз четырехдневный Форум собрал более четырех тысяч участников из пятидесяти стран, а на выставке в рамках IDF свои разработки демонстрировали более ста ведущих IT-компаний. Расписание Форума было столь насыщенным, что зачастую мы не успевали перебегать от одного интересного доклада к другому. Нынешнее мероприятие открыло череду IDF, которые пройдут в этом году по всему миру: в апреле — в Токио, Тайпее, Пекине, Бангалоре и Берлине, в сентябре — снова в Сан-Хосе и наконец в октябре — в Тайпее, Мумбаи (Индия), Москве (уже во второй раз!) и Шензяне (Китай).
Как обычно, на IDF было показано много новых продуктов и технологий, которые должны определить направление развития и конечные продукты отрасли не только на весь текущий год, но и на несколько лет вперед. Так что давайте на время перенесемся из заснеженной Москвы в жаркую Калифорнию, где даже зимой можно порой ходить в футболке и шортах [1], и взглянем на самые интересные события прошедшего IDF.
Глобальным лейтмотивом всего Форума служила «конвергенция»: о ней говорил и Крейг Барретт, нынешний глава Intel, — на открытии форума [2], и Патрик Гелсингер, вице-президент и главный директор по технологиям корпорации, — на его закрытии [3], и ряд других докладчиков. Конвергенция (слияние) компьютеров и беспроводных коммуникаций, а также компьютеров и бытовых устройств меняет принципы и методы использования мобильных телефонов и карманных компьютеров, привносит новое качество («истинная мобильность») в ноутбуки и КПК, выводит на принципиально иной уровень бытовую электронику.
Несмотря на недавний кризис, индустрия высоких технологий по-прежнему сохраняет прочные позиции благодаря бурному развитию Интернета (ежегодно прибавляется более 100 миллионов пользователей), лавинообразному росту объемов передачи данных [4]¹, расцвету электронной коммерции, буму беспроводной связи, внедрению цифровых технологий в потребительскую электронику и взаимопроникновению вычислений и коммуникаций. Так, по данным многих ведущих аналитических компаний (Gartner, IDC, Aberdeen, EITO), общий рост IT-рынка в 2003 году составит от 4 до 7%. Закон Мура продолжит действовать, например, в таких областях, как полупроводниковая память и микропроцессоры [5]. Этому будет способствовать все та же конвергенция вычислительных и коммуникационных технологий и переход на более тонкие технологические нормы производства микросхем [9]. В частности, на Форуме было объявлено о намерении корпорации Intel вложить 2 млрд. долларов в модернизацию фабрики Fab 12 в Чандлере (штат Аризона),

которая станет пятым в мире предприятием Intel по изготовлению 300-миллиметровых полупроводниковых пластин. По завершении модернизации (к концу 2005 г.) на фабрике будет применяться сразу 65-нанометровый производственный процесс. А массовый перевод новых процессоров Intel на 90-нанометровый техпроцесс состоится уже в этом году с выходом процессоров Dothan (следующий Pentium M) и Prescott (следующий Pentium 4). В настоящее время 300-миллиметровые пластины изготавливаются на двух фабриках Intel: в Хиллсборо (шт. Орегон) и Рио-Ранчо (шт. Нью-Мексико). Еще две такие фабрики строятся в Орегоне (ввод в эксплуатацию намечен на конец текущего года) и в Ирландии (эта фабрика вступит в строй в первом полугодии 2004 г.).
Более того, отдельный доклад на IDF был посвящен разработкам в Intel еще более тонких технологических процессов производства микросхем. При переходе на них сложность и стоимость масок для фотолитографии возрастает значительно быстрее, чем удельное число транзисторов. Например, для 90-нанометровой маски число пикселей экспозиции (маски рисуются электронным лучом) равно одному триллиону, а степень дефектности маски не должна превышать отношения площади сечения баскетбольного мяча к площади штата Калифорния! Общее число слоев, создаваемых при помощи масок, в 90-нанометровых микропроцессорах доходит до 25, что описывается файлом размером около 200 Гбайт, и стоимость разработки набора таких масок выражается девятизначными цифрами. Для «наноразмерных» масок применяется ряд специальных приемов: выступы на углах (чтобы минимизировать влияние угловой дифракции света) [6], трехмерные структуры (фазосдвигающие маски [7]) и пр. Маски для 65-нанометрового техпроцесса у Intel уже на стадии доводки. Они предназначены для использования ультрафиолета с длиной волны 193 нм.
Маски для более тонких техпроцессов 45 нм и 32 нм также разрабатываются в корпорации. Они предназначены для мощного и глубокого ультрафиолетового излучения (длина волны 13 нм) и отличаются от традиционных тем, что работают на отражение, а не на просвет [8]. Отражающее покрытие для такой маски состоит из нескольких перемежающихся слоев кремния и молибдена толщиной по несколько нанометров, а толщина специального фоторезиста на поверхности кварцевой пластины при такой литографии составляет всего несколько ангстрем. На прошедшем IDF корпорация впервые в мире продемонстрировала набор таких масок для создания 32-нанометровых кремниевых структур при помощи жесткого ультрафиолетового излучения. На 2007 год намечено начало производства микросхем по техпроцессу 45 нм (длина канала транзистора составит около 30 нм), а в 2009 году появятся прототипы микросхем, изготовленных по технологии 32 нм с длиной канала всего 15 нм [9]. Как сказал в частной беседе доктор Fu-Chang Lo, заместитель директора подразделения Components Research Intel, с приходом фотолитографии глубокого ультрафиолета рентгеновская литография отмерла за ненадобностью. А теоретические пределы для малых размеров при использовании технологии с ультрафиолетовой литографией он оценил как ограниченные не возможностями литографии, а физическими пределами самих кремниевых приборов (единицы нанометров).

Одним из самых важных событий на IDF было представление технологии Intel Centrino для мобильных ПК, ранее известной как Banias. Полное и официальное представление Intel Centrino состоится чуть позже — 12 марта, в день открытия выставки «CeBIT» в Ганновере, однако корпорация сочла возможным приоткрыть информацию о производительности и технические подробности будущей технологии, посвятив этому несколько презентаций и экспозиций. Специально разработанная для обеспечения мобильных ПК возможностями беспроводной связи, технология Intel Centrino обеспечивает высокую производительность при существенно меньшем энергопотреблении (увеличении времени автономной работы), позволяя создавать более тонкие и легкие ноутбуки и обеспечивая истинную мобильность. Как сказал Ананд Чандрасехер (Anand Chandrasekher), вицe-прeзидeнт и один из генеральных менеджеров подразделения Mobile Platforms Group корпорации Intel, новая технология Intel Centrino включает в себя три основных компонента: процессор Pentium M (ранее известный как Banias) с тактовыми частотами до 1,6 ГГц и новой микроархитектурой, унаследовавшей лучшие черты прежних Pentium III и Pentium 4, набор микросхем системной логики Intel 855 (Oden 855PM с шиной AGP 4x без графики и Montara 855GM с интегрированной графикой по типу чипсета 845G) и сетевой интерфейс Intel Pro/Wireless 2100 [10]. Южный мост этих чипсетов, ICH4-M, будет иметь те же функции, что и прежний ICH4, с добавлением возможностей гибкого отключения периферии для режима экономии энергопотребления. Для платформы Intel Centrino разработан собственный логотип [11] в виде двух лепестков в форме сердца.
Поскольку о платформе и самом процессоре Banias мы уже писали полгода назад в репортаже с осеннего IDF, и пока (до 12 марта) более детальной информации по ним не появилось, отсылаем желающих к «КТ» #463 или www.ferra.ru/online/system/20320. А здесь отметим лишь несколько дополнительных моментов. Процессор Pentium M, насчитывающий 77 млн. транзисторов (это заметно больше, чем в Pentium 4) и производимый по технологии 0,13 мкм, обладает кэш-памятью второго уровня объемом 1 Мбайт, системной шиной Power Optimized Quad Pumped Bus с частотой передачи данных 400 МГц (эта шина несовместима с шиной Pentium 4) и SSE2. Чипсеты серии 855 поддерживают одноканальную память DDR266 и беспроводной Ethernet на шине PCI с протоколами работы Wi-Fi 802.11b single band и 802.11a/b dual band (в ближайшем будущем, после утверждения спецификации 802.11g, планируется перейти и на него).

1 Продолжает действовать закон Меткалфа: использование сети равно квадрату количества пользователей, а это, в свою очередь, предъявляет пропорционально возрастающие требования к сетевой аппаратуре, серверам, пропускным способностям каналов связи, их доступности и распространенности, то есть требует адекватного ответа от полупроводниковой индустрии.